RM新时代APP官网-首页

  1. <nav id="mvkce"></nav>
    <del id="mvkce"><th id="mvkce"></th></del>

    <menuitem id="mvkce"><option id="mvkce"></option></menuitem>

    研發(fā)實力

    公司的技術(shù)與產(chǎn)品涵蓋:保護器件(Protection Device)、可控硅(Thyristor)、整流二極管(Rectifier)。

    在多個技術(shù)領(lǐng)域保持了國內(nèi)領(lǐng)先的地位,如多層疊片技術(shù)、高結(jié)溫低漏流技術(shù)、多層鈍化工藝、超強抗干擾可控硅技術(shù)等。
    同時利用公司多名核心技術(shù)人員在設(shè)計、制造領(lǐng)域的積累,為客戶提供針對性的芯片產(chǎn)品設(shè)計和系統(tǒng)性的應(yīng)用解決方案。

    TVS技術(shù)優(yōu)勢

    • 瞬態(tài)抑制二極管 (TVS Devices)

      瞬態(tài)抑制二極管 (TVS Devices)

      .截止電壓: 3.3V~600V;             

      .峰值功率: 200~30KW

      .電流: 最大達30KA(8/20uS)  

      .高結(jié)溫:最高可達175℃

      .領(lǐng)先的漏電流控制和疊片工藝


    可控硅技術(shù)優(yōu)勢

    • 快速整流二極管 (Fast Recovery Diode)

      快速整流二極管 (Fast Recovery Diode)

      ¤  超高擊穿電壓能力:800V / 1200

      ¤  軟回復(fù),低Qrr 設(shè)計

      ¤  Tj(max) = 150 °C (175 under R/D)

      ¤  使用外延片工藝,電壓一致性佳

      ¤  鉑金Life time killer工藝


    • 放電管/觸發(fā)管 (TSS/SIDAC Devices)

      放電管/觸發(fā)管 (TSS/SIDAC Devices)

      ¤  5寸片成本更具優(yōu)勢

      ¤  低電容設(shè)計(TSS <35pf)

      ¤  穩(wěn)定抗浪涌能力

      ¤  穩(wěn)定的工藝/設(shè)備

      ¤  鍍鎳工藝/蒸鍍鋁,銀可供選擇,產(chǎn)品應(yīng)用廣


    • ESD/TVS可控硅 (ESD/TVS TRIAC)

      ESD/TVS可控硅 (ESD/TVS TRIAC)

      ¤  帶有ESD保護功能的可控硅芯片

      ¤  承受ESD> 2 KV能力(IEC 61000-4-5)

      ¤  兼具 150度高結(jié)溫

      ¤  動態(tài)能力/電流換向高

      ¤  減少電路空間使用成本

    RM新时代APP官网-首页

    1. <nav id="mvkce"></nav>
      <del id="mvkce"><th id="mvkce"></th></del>

      <menuitem id="mvkce"><option id="mvkce"></option></menuitem>

      1. <nav id="mvkce"></nav>
        <del id="mvkce"><th id="mvkce"></th></del>

        <menuitem id="mvkce"><option id="mvkce"></option></menuitem>
        新时代平台 rm新时代爆单 新时代RM|APP官网网址 rm新时代爆单 RM新时代|首入球时间