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半導(dǎo)體類(lèi)

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  瞬態(tài)電壓抑制二極管 (TVS)

  瞬態(tài)抑制二極管也稱(chēng)硅雪崩二極管，擁有比普通二極管更大PN結(jié)面積和更大的同流能力，廣泛應(yīng)用于電子元件瞬變電壓防護(hù)。

  截止電壓: 3.3V~600V;   峰值功率: 200~30KW   電流: 最大達(dá)30KA(8/20uS） 高結(jié)溫:最高可達(dá)

  
  

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  可控硅 (Thyristors)

  可控硅是常開(kāi)式固態(tài)開(kāi)關(guān)，能 夠承受額定閉塞/斷態(tài)電壓直 至受觸發(fā)而切換為導(dǎo)通狀態(tài)， 可作為開(kāi)關(guān)或功率調(diào)節(jié)應(yīng)用。

  低漏電流：獨(dú)特的保護(hù)層設(shè)計(jì)，IDRM<1uA@VDRM        高結(jié)溫：超高靜動(dòng)態(tài)能力，150oC 高結(jié)溫環(huán)境        抗干擾能力強(qiáng)：無(wú)緩沖設(shè)計(jì), dv/dt > 1000V

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  靜電二極管陣列 (ESD)

  瞬態(tài)抑制二極管陣列設(shè)計(jì)用于保 護(hù)數(shù)字和模擬信號(hào)線(xiàn)免受靜電放 電(ESD)，電快速瞬變(EFT)，以 及雷擊引起的浪涌電流的破壞。

  結(jié)電容：最小可達(dá)0.3pF        尺寸：最小可達(dá)0.6*0.3mm        封裝：多樣化，集成度高        功率：70~1800W（8/20uS）

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  半導(dǎo)體放電管 (TSS)

  半導(dǎo)體放電管是基于可控硅工藝的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)管，相對(duì)TVS管有更高的浪涌防護(hù)和更低的殘壓，用于各種通訊端口。

  截止電壓：6V~600V   浪涌等級(jí)：2/4/6 KV   結(jié)電容值：15pF～150pF   封裝：SMA、SMB、SOP8

非半導(dǎo)體類(lèi)

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  陶瓷氣體放電管(GDT)

  陶瓷氣體放電管屬于開(kāi)關(guān)型過(guò) 壓保護(hù)器，工作原理基于惰性 氣體間隙放電，能夠承受極高 的瞬態(tài)浪涌。

  電壓: 75V~6KV    浪涌能力: 100KA (8/20μs)    尺寸: 2極&3極，多尺寸    電容值：0.5～25 pF    封裝：軸心引線(xiàn)式、貼片式

  
  

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  玻璃氣體放電管(SPG)

  玻璃氣體放電管兼具陶瓷氣體 放電管和半導(dǎo)體放電管的優(yōu)點(diǎn)， 具有浪涌能力高、體積小、反應(yīng)速度快的特點(diǎn)。

  電壓范圍：140~ 4000V   浪涌電流：3KA(8/20uS）   尺寸大?。害?.4mm~φ4.1mm   可靠性高：耐高溫、耐潮濕